本文标题:晶圆衬底表面沉积生成单晶层的工艺
信息分类:行业动态 新闻来源：未知 发布时间：2017-10-31 22:12:17
晶圆衬底表面沉积生成单晶层的工艺
外延沉积
外延沉积是一种可以在晶圆衬底表面沉积生成单晶薄层的工艺
。晶圆衬底起着籽晶层的作用，通常籽晶层和外延层的晶体结构是
一样的。现在，外延生长工艺已广泛用于分立器件和集成电路的生
产。在微电子学领域，最常见的是用它制备相对衬底的隔离面型结
，换种说法，它是结隔离技术，并可形成掩埋层的工艺。技术制造
的电路具有较高的性能，如较低的寄生容抗、较高的开关速度等。
外延沉积中使用最普遍的技术是气相外延(VPE)和分子束外延(MBE)
。
外延反应炉的设计有多种不同的方案，其中三种常用的类型：
卧式、立式和桶式外延反应炉，无论哪种类型，它们都有一个反应
室，在室内通过相应的化学反应形成外延生长层。为使反应正常持
续地进行，还需要配备加热器(如RF加热线圈)，以及供活性气体和
排除废气的系统。
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