本文标题:半导体覆层中石墨颗粒密度太低
信息分类:行业动态 新闻来源：未知 发布时间：2018-2-27 23:17:37
半导体覆层中石墨颗粒密度太低
形成一个局部热区：升高的温度借助氧化过程进一步增加电阻
值，使得部分交叠部位变得不再具导电性，此时在半导体覆层末端
的高电场强度作用下将发生PD，在空气冷却电机中还会产生臭氧。
臭氧(或者不如说是硝酸)将侵袭毗连的覆层，最后交叠部位电阻变
成无穷大，也就开始强烈放电。交叠部位最初存在高阻现象的原因
如下：
1)半导体覆层中石墨颗粒密度太低。
2)碳化硅覆层中的碳化硅颗粒密度或者颗粒大小分布不当。
3)交叠部位的表面积不够，不足以让电容电流流过。
主绝缘承受的电场强度较高时，应在设计上给予特殊重视，那
些“薄壁”主绝缘的设计将使更多的电容电流流过碳化硅覆层，因
此也更易于产生快速的老化。
将本页加入收藏
下一篇：金属零件碳化硅覆层计量图像便携显微镜
上一篇：永磁铁基本上是用于小型的电动机
本文出自上海永亨光学仪器有限公司，本文地址：http://www.sgyiqi.com/xwjdt/2596.html
工业显微镜测量显微镜视频显微镜专业的供应商
合作伙伴：http://www.xianweijing.org/显微镜百科
- 没有资料